Samsung Electronics намерен увеличить более чем вдвое инвестиции в полупроводниковые операции в Техасе - примерно до $44 млрд, пишет газета The Wall Street Journal со ссылкой на информированные источники.

Новые инвестиции будут сосредоточены в округе Тейлор, где Samsung строит хаб для производства чипов, отмечают источники. В частности, по их словам, компания планирует строительство новой площадки по выпуску чипов, мощностей для корпусирования микросхем, а также центра исследований и разработок (R&D).

Samsung является одним из трех производителей передовых логических интегральных схем, используемых в ИИ-решениях, в также в оборонном сегменте, наряду с Intel Corp. и Taiwan Semiconductor Manufacturing Company. Операции этих компаний являются ключевыми для программы администрации президента США Джо Байдена по укреплению потенциала Штатов в области производства чипов, отмечает WSJ.

По словам источников, Samsung, вероятно, получит миллиарды долларов в виде субсидий в рамках закона Chips Act, предусматривающего поддержку производства полупроводниковых компонентов в США.

Инвестиции в первое предприятие Samsung в Тейлоре должны были составить $17 млрд, однако за время реализации проекта расходы выросли, в связи с чем компании потребуются несколько миллиардов долларов дополнительных инвестиций, отмечают источники.

Новая производственная площадка, по их словам, может стоить более $20 млрд. R&D-центр, как ожидается, будет находиться внутри производственных предприятий.

Проект строительства мощностей для корпусирования микросхем может стоить около $4 млрд.

Компания, как ожидается, официально объявит об увеличении инвестиций в ходе мероприятия 15 апреля.